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【2h】

NEGF simulations of a junctionless Si gate-all-around nanowire transistor with discrete dopants

机译：NEGF模拟具有分立掺杂剂的无结si栅极全纳米线晶体管

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作者
A. Martinez; A. R. Brown; S. Roy; A. Asenov;
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年度 2013
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